THEORETICAL STUDIES OF DEFECTS IN SILICON CARBIDE

Autor: RURALI RICCARDO
Año: 2003
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA
Centro de realización: ESCUELA DE DOCTORADO Y DE FORMACIÓN CONTINUADA
Centro de lectura: CIENCIAS
Director: HERNÁNDEZ EDUARDO
Tribunal: MUÑOZ DOMINGUEZ JUAN SANTIAGO , GARCÍA ARRIBAS ALBERTO , SÁNCHEZ PORTAL DANIEL , ESTREICHER STEFAN , MESTRES ANDREU NARCÍS
Resumen de la tesis

Se han utilizado las más avanzadas técnicas de cálculos teóricos de estructura electrónica para estudiar los defectos puntuales en carburo de silicio. En particular se ha abordado el estudio de la difusión de boro, la difusión de vacantes y del dopaje a alta dosis con nitrógeno i fósforo. La Tesis se enfoca en los mecanismos a la escala atómica responsable de estos procesos cuya relevancia tecnológica es de primaria importancia en la fabricación de dispositivos microelectrónicos.
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