PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE NANOCRISTALES SEMICONDUCTORES

Autor: DIAZ GARCIA JOSE GABRIEL
Año: 2004
Universidad: JAUME I DE CASTELLON
Centro de realización: E.T.S. DE TECNOLOGIA Y CIENCIAS EXPERIMENTALES
Centro de lectura: E.T.S. DE TECNOLOGIA Y CIENCIAS EXPERIMENTALES
Director: PLANELLES FUSTER JOSEP HILARI
Tribunal: NEBOT GIL IGNACIO JOSE , JASKOLSKI WLODEK , ILLAS RIERA FRANCESC , GARCIA MOLINER FEDERICO , RAJADELL VICIANO FERNANDO
Resumen de la tesis

Los métodos kp y tight-binding, que inicialmente fueron diseñados para predecir las propiedades del sólido extendido, han sido adaptados para describir las propiedades optoelectrónicas de nanoestructuras semiconductoras. El Hamiltoniano kp de 4 bandas para huecos y la ecuación de masa efectiva en el modelo de 1 banda para electrones se han discretizado en coordenadas cilíndricas, con el objetivo de estudiar los efectos de la aplicación de un campo magnético sobre el espectro energético de los nanocristales y las propiedades colectivas en sistemas de puntos cuánticos acoplados. Entre los resultados obtenidos cabe destacar que el acoplamiento entre nanocristales con topología de antidot provoca una importante estabilización energética de la minibanda fundamental, la cual permanece inalterada frente a la acción de un campo magnético. El modelo tight-binding de primeros vecinos que se ha implementado utiliza una base sp3s* para describir cada átomo del nanocristal. Este modelo atomista permite la descripción detallada de la estructura óptica fina de los nanocristales. Se ha evidenciado que los espectros teóricos de absorción con luz polarizada en la dirección z permiten discriminar entre geometrías que la microscopía electrónica no es capaz de discernir.
Materias relacionadas