PHOTOVOLTAICS WITH AMORPHOUS SILICON: TECHNOLOGICAL, PHYSICAL AND TECHNICAL ASPECTS.

Autor: MERTEN JENS
Año: 1996
Universidad: BARCELONA
Centro de realización: DEPARTAMENTO: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA Y ELECTRONICA FISICA Y TECN.
Centro de lectura: FISICA
Director: ANDREU BATALLE JORDI
Tribunal: LLORET I ORTIOLS ANTONI , RUIZ PEREZ JOSE M. , ALCUBILLA I GONZALEZ RAMON , ROCA I CABARROCAS PERE , MORENZA I GIL JOSE LUIS
Resumen de la tesis

LA PRESENTE MEMORIA TRATA DE LAS CELULAS Y PANELES FOTOVOLTAICOS DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO. EN PARTICULAR, SE HA TRATADO LA TECNOLOGIA DE DEPOSITO DE CELULAS DE LABORATORIO, EL ESTUDIO DE ASPECTOS DE LA FISICA DEL COMPORTAMIENTO, TANTO DEL DISPOSITIVO COMO DEL PANEL COMERCIAL, Y EL ESTUDIO DEL RENDIMIENTO REAL DE PANELES DE SILICO AMORFO INTEGRADOS EN EL EFICIO FOTOVOLTAICO DE LA BIBLIOTECA PUBLICA "POMPEU FABRA" DE MATARO. SE DEMUESTRA LA INFLUENCIA SIGNIFICATIVA DE LA CONTAMINACION CON SODIO TANTO EN CELULAS DE LABORATORIO COMO EN PANELES COMERCIALES. SE PRESENTA UN METODO ORIGINAL (VARIED IRRADIANCE MEASUREMENT - VIM) QUE PERMITE UN MEJOR ANALISIS DE LOS DISTINTOS FENOMENOS FISICOS QUE APARECEN EN EL COMPORTAMIENTO DE LA CELULA P-I-N DE SILICIO AMORFO. PARA INTERPRETAR LOS RESULTADOS DEL METODO, SE HA DESARROLLADO UN MODELO SIMPLIFICADO DE LA CELULA QUE PERMITE EXTRAER IMPORTANTES PARAMETROS FISICOS DEL DISPOSITIVO, EN PARTICULAR, EL PRODUCTO MUPI MEDIO DE LOS PORTADORES EN LA ZONA INTRINSECA. EL ESTUDIO BAJO ILUMINACION SOLAR APLICANDO EL METODO VIM PARA MODULOS FOTOVOLTAICOS DE SILICIO AMORFO PERMITE DETERMINAR CLARAMENTE EL ORIGEN DE PROBLEMAS HABITUALES EN LOS MODULOS DE SILICIO AMORFO.
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