MODELLADO FISICO DE DISPOSITIVOS BASADOS EN HETEROESTRUCTURAS PARA APLICACIONES DE RADIOFRECUENCIA.

Autor: GRAJAL DE LA FUENTE JESUS
Año: 1997
Universidad: POLITECNICA DE MADRID
Centro de realización: DEPARTAMENTO: SEÑALES, SISTEMAS Y RADIOCOMUNICACIONES PROGRAMA DE DOCTORADO: SEÑALES, SISTEMAS Y RADIOCOMUNICACIONES
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Director: GISMERO MENOYO JAVIER
Tribunal: PEREZ MARTINEZ FELIX , PRAT VIÑAS LUIS , CAMACHO PEÑALOSA CARLOS , PEDRO JOSE CARLOS , SANCHEZ DE ROJAS ALDAVERO JOSE LUIS
Resumen de la tesis

Esta Tesis profundiza en la problemática propia de las heteroestructuras y del transporte a través de interfases mediante simulaciones físicos. Se han estudiado tanto heteroestructuras metal-semiconductor, diodos Schottky, como heteroestructuras semiconductor-semiconductor, transistores bipolares basados en heteroestructuras (HBTs), utilizadas en aplicaciones de radiofrecuencia. El punto de partida fue la teoría clásica de arrastre y difusión, complementada con modelos adecuados para el transporte en las interfases. La comprensión de las limitaciones de esta aproximación ha servido para ampliar este modelo, de modo que incluya aspectos tan importantes como generación de calor o transporte no estacionario. También se ha avanzado por la vía de adaptarse a la geometría de los dispositivos a través de un simulador bidimensional para HBTs. Por último, se ha integrado un simulador unidimensional para diodos Schottky en un simulador circuital basado en la técnica de balance armónico. Se pretende con ello desarrollar una herramienta capaz de evitar el uso de circuitos equivalentes y que permita el diseño conjunto del dispositivo y del entorno circuital.
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