MEDIDA DE PARAMETROS DE RUIDO DE DISPOSITIVOS ACTIVOS BASADA EN FUENTE ADAPTADA

Autor: MAYA SÁNCHEZ M. CARMEN
Año: 2003
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA
Centro de realización:
Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN
Director: PRADELL CARA LLUIS
Tribunal: ARTAL LATORRE EDUARDO , MEDINA MONROY JOSÉ LUIS , COLLANTES METOLA JUAN MARÍA , CORBELLA SANAHUJA IGNASI , O'CALLAGHAN CASTELLÁ JOAN
Resumen de la tesis

La tesis trata el problema de la medida de parámetros de ruido en transistores a frecuencias de microondas y milimétricas. En particular, se trata los casos de transistores de efecto campo (MESFET y HEMT) y transistores bipolares de heterounión (HBT). Se han implementado sistemas de medida en los márgenes de 2 a 75 GHz menor que y 2-50 GHz, para de dispositivos en oblea, y de 50-75 GGz para dispositivos en guía de onda. La tesis explora varias mejoras en las técnicas de medida, que incluyen el uso de un analizador de espectros con un detector externo y el uso de fuentes de ruido en la oblea. Las técnicas de medida propuestas aprovechan el conocimiento del modelo del dispositivo para realizar una mejor extracción de sus parámetros de ruido. Por ello, la tesis describe los modelos existentes y propone mejoras en el modelado de los transistores de efecto campo. En particular, se propone un modelo que tiene en cuenta los efectos distribuidos de lso electrodos de puerta, drenador y fuente de dichos dispositivos.
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