MATERIALES BASADOS EN FOSFATOS. ESTUDIO DE NASICONES DEL TIPO A1+XMXIIIM2-XIV(PO4)3 (A=LI, NA; MIII=FE, CR, IN; MIV=HF, ZR, TI, SN).

Autor: RAMIREZ LOSILLA ENRIQUE
Año: 1996
Universidad: MALAGA
Centro de realización: DEPARTAMENTO: QUIMICA INORGANICA, CRISTALOGRAFIA Y MINERALOGIA PROGRAMA DE DOCTORADO: QUIMICA AVANZADA
Centro de lectura: CIENCIAS
Director: BRUQUE GAMEZ SEBASTIAN
Tribunal: JIMENEZ LOPEZ ANTONIO , QUARTON MICHEL , ROY WEST ANTHONY , MORALES PALOMINO JULIAN , MORENO REAL LAUREANO
Resumen de la tesis

SE HAN OPTIMIZADO LOS METODOS DE SINTESIS DEL ALFA-TIP, ALFA-SNP Y ALFA-PBP Y CARACTERIZADO MEDIANTE ANALISIS QUIMICO, TERMICO, IR Y DRX, COMPARANDOSE LOS RESULTADOS CON LOS DEL PROTOTIPO DE LA SERIE, EL ALFA-ZRP. LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS DEL ALFA-TIP Y ALFA-ZRP SE HAN REFINADO MEDIANTE DIFRACCION COMBINADA DE RAYOS-X Y NEUTRONES. A CONTINUACION SE HA DETERMINADO LA SUPERESTRUCTURA CUBICA 3X3X3 DEL TIP2O7 MEDIANTE DIFRACCION DE RAYOS-X Y RESONANCIA MAGNETICA NUCLEAR. LA DIFRACCION DE RAYOS-X SE HA USADO PARA ANALIZAR EL ORDEN A LARGA DISTANCIA, MIENTRAS QUE LA RESONANCIA MAGNETICA NUCLEAR SE HA EMPLEADO PARA CONFIRMAR EL ORDEN Y LAS DISTORSIONES LOCALES DE LOS TETRAEDROS FOSFATO. SE HA DESCRITO LA SINTESIS Y CARACTERIZACION DEL MATERIAL LIHF2(PO4)3. ESTE COMPUESTO PRESENTA UNA TRANSICION DE FASE A 235 K QUE HA SIDO ESTUDIADA MEDIANTE DSC, DIFRACCION DE RAYOS-X DE BAJA TEMPERATURA Y CONDUCTIVIDAD IONICA. LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LAS DOS FASES SE HA DETERMINADO MEDIANTE DATOS DE DIFRACCION DE NEUTRONES A 175 K Y 320 K. A CONTINUACION SE HAN PREPARADO MATERIALES LITICOS Y SODICOS DE ESTEQUIOMETRIA NASICON CON FORMULA GENERAL A1+XMXIIIM2-IXIV (PO4)3 (A=LI, NA; MIII=FE, CR, IN; MIV=HF, ZR, TI, SN). SE HAN ESTUDIADO LOS ASPECTOS ESTRUCTURALES QUE SE MODIFICAN POR LA SUSTITUCION ALIOVALENTE. PARA EL CASO DE LAS MUESTRAS SODICAS, SE HA COMBINADO LA ESPECTROSCOPIA RMN Y EL ANALISIS DE RIETVELD PARA CORRELACIONAR LOS DATOS Y MECANISMOS DE CONDUCTIVIDAD CON LOS FACTORES ESTRUCTURALES CRITICOS QUE LOS PRODUCEN.
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