FOTOPROCESAMIENTO ULTRAVIOLETA DE CAPAS FINAS AMORFAS DE OXIDO DE SILICIO.

Autor: GARCIA PARADA EDUARDO
Año: 1995
Universidad: VIGO
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: APLICACIONS INDUSTRIALIS DOS LASERES BIENIO 90-92
Centro de lectura: CIENCIAS
Director: LEON FONG BETTY M.
Tribunal: PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR MARIANO , FLICSTEIN JEAN , SZORENYI TAMAS , MUÑOZ MERINO ELIAS , GONZALEZ CALBET JOSE M.
Resumen de la tesis

ESTE TRABAJO ESTA DEDICADO AL ESTUDIO Y DESARROLLO DE PROCESOS DE BAJA TEMPERATURA INDUCIDOS MEDIANTE FOTONES ULTRAVIOLETA PARA EL DEPOSITO Y PARA TRATAMIENTOS POST-DEPOSITO DE CAPAS FINAS AMORFAS DE OXIDOS DE SILICIO SOBRE SEMICONDUCTORES.SE PRESENTA UN ESTUDIO EXHAUSTIVO DE LAS CAPAS DEPOSITADAS Y TRATADAS. EL ALTO CONTROL DEL PROCESO DE DEPOSITO QUIMICO FOTOINDUCIDO A PARTIR DE FASE VAPOR (FOTO-UV-CVD) PERMITE EL ANALISIS DE ASPECTOS CONCRETOS COMO LAS FORMAS DE INCORPORACION DE IMPUREZAS A LAS CAPAS (ESPECIALMENTE HIDROGENO), LOS CAMBIOS ESTRUCTURALES QUE SE PRODUCEN O UN DETALLADO ANALISIS DEL PROCESO DE ENVEJECIMIENTO DE LAS CAPAS. POR OTRO LADO, SE PRESENTA EL PROCESO DE RECONOCIDO UV CON UNHA NOVEDOSA LAMPARA EXCIMERA DE DESCARGA SILENCIOSA QUE EMITE FOTONES A UNA LONGITUD DE ONDA 193 NM. ESTE PROCESO SE MUESTRA ALTAMENTE EFECTIVO A TEMPERATURA AMBIENTE Y SIN PRODUCIR DAÑOS EN LOS DISPOSITIVOS PARA INDUCIR FOTOLITICAMENTE PROCESOS COMO LA PASIVACION, REOXIDACION Y RELAJACION DE TENSION EN LAS CAPAS DE OXIDO DE SILICIO, CON LO QUE SE CONSIGUE UNA ADECUACION A BAJA TEMPERATURA PARA SU UTILIZACION EN APLICACIONES TECNOLOGICAS.
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