ESTUDIO CORRELATIVO DE PROPIEDADES ELECTRÓNICAS LOCALES DE GASB MEDIANTE MICROSCOPÍAS ELECTRÓNICA Y TÚNEL DE BARRIDO.

Autor: HIDALGO ALCALDE PEDRO
Año: 2000
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS FÍSICAS-UCM
Centro de lectura: FISICA
Director: MÉNDEZ MARTÍN M. BIANCHI
Tribunal: ROJO ALAMINOS JUAN MANUEL , GARCIA ROJA RAFAEL , GONZALEZ SOTO LUISA , DIEGUEZ DELGADO ERNESTO , CREMADES RODRIGUEZ ANA ISABEL
Resumen de la tesis

En esta tesis doctoral se recoge las investigaciones llevadas a cabo sobre la influencia de los tratamientos de dopado en la formación de nuevos niveles electrónicos que surgena raíz de la presencia de estas impurezas y el efecto e influencia de estas impurezas sobre los defectos nativos del GaSb. Se han empleado diversas técnicas de caracterización. Entre las más destacables señalaremos la Catodoluminiscencia asociada a un microscopio electrónico de barrido yla espectroscopía túnel de barrido asociada a un microscopio efecto túnel. Otras técnicas empleadas han sido la técnica de microanálisis (EDX y WDX), la difracción de rayos X y la microscopía túnel de barrido. Las muestras investigadas han sido muy variadas. Como paso inicial se carácterizó el GaSb sin dopar para analizar los defectos asociados a su crecimiento. Así encontramos que existe un nivel aceptor nativo que le confiere conductividad intrínseca tipo p. En orden de reducir la concentración de este defecto nativo se dopó el material con elementos de transición(Cr, V y Ru), con elementos de las tierras raras (Er y Nd) y con impurezas isoelectrónicas (Al, In). Los resultados son muy interesantes mostrando algunas impurezas una norme efectividad en la reducción de los defectos nativos anteriormente citados y confiriendo al GaSb una gran aplicabilidad en el campo de la fabricación de dispositivos. Así finalmente, analizamos uniones p-n fabricadas por difusión de Zn en una muestra de GaSb: Te con conductividad tipo n. Los resultados de CL y espectroscopía túnel nos revelan que estas homouniones son muy uniformes en la distribución lo cual las hace ideales para su utilización en la industria de fabricación de dispositivos. La técnica de microscopía correlativa SEM-STM se ha empleado por primera vez en la caracterización de este material revelandose como una poderosa arma para la detección de nanoprecipitados de dopante. Con su ayuda hemos podido ivestigar en todas las muestras la distribución de dopante hasta una resolución no alcanzable hata ahora por otras técnicas de caracterización.
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