ESTUDIO CORRELATIVO DE PROPIEDADES ELECTRÓNICAS LOCALES DE GASB MEDIANTE MICROSCOPÍAS ELECTRÓNICA Y TÚNEL DE BARRIDO.
Autor: HIDALGO ALCALDE PEDRO
Año: 2000
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID
Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS FÍSICAS-UCM
Centro de lectura: FISICA
Director: MÉNDEZ MARTÍN M. BIANCHI
Tribunal: ROJO ALAMINOS JUAN MANUEL
, GARCIA ROJA RAFAEL
, GONZALEZ SOTO LUISA
, DIEGUEZ DELGADO ERNESTO
, CREMADES RODRIGUEZ ANA ISABEL
Resumen de la tesis
Materias relacionadas
Tesis relacionadas
- CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE GASB PURO Y DOPADO OBTENIDO MEDIANTE EL MÉTODO BRIDGMAN
- INHIBIDORES DE COLINESTERASA EN IMPUREZAS DE HEXANO COMERCIAL.
- PROPIEDADES ELECTRONICAS DE SISTEMAS NANOMETRICOS.
- ESTUDIO DE PROPIEDADES DE RECOMBINACION ELECTRONICA EN SUPERCONDUCTORES DE ALTA TEMPERATURA CRITICA MEDIANTE TECNICAS DE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Y MICROSCOPIA TUNEL.
- CARACTERIZACION DE DEFECTOS INTRINSECOS Y EXTRINSECOS EN ZIRCONIA ESTABILIZADA CON YTRIA.
- INFLUENCIA DE LOS TRATAMIENTOS TERMICOS EN LA FORMACION DE DEFECTOS EN BAF2, SRF2 Y CAF2 PUROS Y DOPADOS CON MANGANESO.
- MODELADO Y FABRICACION DE CELULAS FOTOVOLTAICAS DE GASB. APLICACION A SISTEMAS TERMOFOTOVOLTAICOS
- ESTUDIO TEORICO DE PROPIEDADES LOCALES EN TORNO A IMPUREZAS EN CRISTALES IONICOS MEDIANTE EL METODO DE POTENCIAL MODELO AB INITIO.