DESARROLLO DE DISPOSITIVOS MEMFET Y CIRCUITOS DE MEDIDA PARA SENSORES QUIMICOS INTELIGENTES.

Autor: ERRACHID ABDELHAMID
Año: 1997
Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: INGENIERIA ELECTRONICA
Centro de lectura: CIENCIAS
Director: BAUSELLS ROIGE JOAN
Tribunal: SERRA MESTRES FRANCESC , JAFFREZIC-RENAULT NICOLE , SAMITIER MARTI JOSEP , CASABO GISPERT JAUME , CANE BALLART CARLES
Resumen de la tesis

Este trabajo se inscribe en el estudio de sensores químicos de Silicio basados en dispositivos ISFET, en su aplicación en microsistemas de análisis químico. Se han fabricado dispositivos MEMFET selectivos al cation plata (I) y al anión perclorato (CLO4-), mediante la deposición de membranas poliméricas selectivas a dichos iones. Los resultados obtenidos son muy satisfactorios. Se ha estudiado la fabricación de ISFETs en una tecnología CMOS comercial (1,0 micras de Atm-ES2). Se ha probado que los dispositivos pueden fabricarse con éxito si se utiliza una estructura de puerta formado por el óxido de Silicio de puerta, un electrodo central flotante eléctricamente formado por el polisilicio de puerta mas los dos metales, y el oxinitruro de silicio de pasivación. Este último actúa como material sensible al pH en contacto con el líquido. Se han fabricado ISFET integrados mediante la tecnología CMOS de 2,5 micras de CNM "CNM25". A partir de la caracterización de estos dispositivos, se han obtenido los parámetros para un modelo de simulación SPICE de los ISFETs fabricados en la tecnología CMOS-CNM25 con puertas de óxido mas nitruro.
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