CRECIMIENTO MBE DE NANOESTRUCTURAS METÁLICAS SOBRE SUBSTRATOS DE SILICIO

Autor: MARTÍN ALONSO PEDRO PABLO
Año: 2003
Universidad: AUTONOMA DE MADRID
Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID
Centro de lectura: CIENCIAS
Director: RUIZ RUIZ DE GOPEGUI ANA
Tribunal: ROMÁN GARCÍA ELISA , GÓMEZ RODRÍGUEZ JOSE MARIA , PALOMARES SIMÓN FRANCISCO JAVIER , COLINO GARCÍA JOSÉ , CAMARERO DE DIEGO JULIO
Resumen de la tesis

En el trabajo se exponen los resultados experimentales obtenidos en un estudio de crecimiento por epitaxia de haces moleculares de nanoestructuras metálicas sobre substratos semiconductores de silicio. El estudio se ha realizado para dos tipos de sistemas: El primero de ellos, el crecimiento de heteroestructuras metálicas Co/Ag sobre substratos de Si(111). Este caso presenta gran interés por sus propiedades magneto-electrónicas y la dificultad que presenta su crecimiento, debido al elevado desacoplo entre los parámetros de red respecto al substrato. El segundo tipo de sistemas estudiado ha sido el crecimiento de nanoestructuras metálicas aprovechando fenómenos de auto-organización, con objeto de obtener redes regulares de nanoestructuras sobre substratos de silicio. Se han estudiado dos métodos. Por un lado la formación de patrones auto-organizados en el propio substratos de silicio que actúan como molde para el posterior crecimiento de capas metálicas. Por otro lado, la formación espontánea de nanoestructuras metálicas durante el crecimiento heteroepitaxial. En el trabajo se recoge también la descripción del sistema de control y adquisión de datos desarrollado, para su aplicación en el equipo de crecimiento MBE. Este sistema de control añade un modo de operación automático al equipo de crecimiento, permitiendo la automatización de muchos de los procedimientos involucrados en el crecmiento incrementando la eficiencia del sistema y la reproducibilidad de las condiciones de crecimiento empleadas.
Materias relacionadas