CONTRIBUCION AL ESTUDIO DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROUNION

Autor: LOPEZ GONZALEZ JUAN MIGUEL
Año: 1993
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ENGINYERIA ELECTRONICA
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES
Director: PRAT VIÑAS LUIS
Tribunal: CASTAÑER MUÑOZ LUIS , GARCIA MORENO EUGENIO , RUIZ PEREZ JOSE M. , IZPURA TORRES IGNACIO , ALCUBILLA GONZALEZ RAMON
Resumen de la tesis

LA TESIS DOCTORAL ANALIZA EL COMPORTAMIENTO ELECTRICO DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROUNION MAS UTILIZADOS: HBT-SI/SIGE, HBT-ALGAAS/GAAS Y HBT-INP/INGAAS. EN EL TRABAJO SE REALIZA UN SIMULADOR NUMERICO DE TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROUNION, QUE PERMITE ESTUDIAR TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROUNION ABRUPTOS, DONDE LAS BARRERAS DE ENERGIA EN LA INTERFAZ ENTRE LAS REGIONES DE BASE Y EMISOR TIENEN UN PAPEL FUNDAMENTAL EN EL TRANSPORTE DE PORTADORES. LOS SIMULADORES NUMERICOS ACTUALES NO PUEDEN ANALIZAR ESTE TIPO DE DISPOSITIVOS, PUES EN LA REGION DE INTERFAZ EL MOVIMIENTO DE LOS PORTADORES DEBE EXPLICARSE, EN MUCHAS OCASIONES, MEDIANTE LA EMISION TERMOIONICA Y EL EFECTO TUNEL. EL SIMULADOR NUMERICO REALIZADO PERMITE EXPLICAR CORRECTAMENTE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES OBSERVADOS EN LOS TRANSISTORES BIPOLARES DE HOMOUNION Y HETEROUNION. EL SIMULADOR SE APLICA AL ANALISIS DE LOS EFECTOS DEL ESTRECHAMIENTO DE LA BANDA PROHIBIDA EN TRANSISTORES HBT RAPIDOS, CON REGIONES DE BASE MUY DOPADAS. SE COMPRUEBA UN MODELO PARA EL ESTRECHAMIENTO DE LA BANDA PROHIBIDA QUE SIRVE PARA ANALIZAR TRANSISTORES HBT DE DIFERENTES MATERIALES A PARTIR DEL CONOCIMIENTO DE SUS CARACTERISTICAS FISICAS BASICAS.
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