CARACTERIZACION POR DIFRACCION DE RAYOS X DE HETEROESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES III-V. APLICACION AL DISEÑO DE SUPERREDES TENSADAS PARA EPITAXIA DE GAAS/SI.

Autor: MAZUELAS ESTEBAN ANGEL
Año: 1992
Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID
Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES
Centro de lectura: FISICA
Director: GONZALEZ SOTOS LUISA
Tribunal: PIQUERA DE NORIEGA JAVIER , BALLESTEROS PEREZ CARMEN , BRIONES FERNANDEZ-POLA FERNANDO , GARCIA ROJA RAFAEL , SANTAMARIA SANCHEZ-BARRIGA JACOBO
Resumen de la tesis

ESTA TESIS DOCTORAL PRESENTA RESULTADOS EXPERIMENTALES DE CARACTERIZACION DE HETEROESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES III-V CRECIDOS SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS POR MBE. SE PRESENTA UNA DESCRIPCION COMPLETA DE LA DIFRACCION DE RAYOS X COMO HERRAMIENTA DE CARACTERIZACION DE MATERIALES. SE HA APLICADO A DIVERSAS ESTRUCTURAS TANTO SIN TENSIONES COMO TENSIONADAS. SE HAN DETERMINADO LOS ESPESORES CRITICOS DE DIVERSOS SEMICONDUCTORES III-V. SE HAN ESTUDIADO DIVERSOS TIPOS DE SUPERREDES TENSADAS. POR ULTIMO, LOS ESTUDIOS ANTERIORES SE SINTETIZAN EN UNA PROPUESTA DE SUPERRED TENSADA PARA EPITAXIAS DE GAAS/SI.
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