CARACTERIZACION EN ESTRUCTURAS MOS DEL DAÑADO ELECTRICO GENERADO POR GRABADO IONICO REACTIVO.

Autor: CASTAN LANASPA M. ELENA
Año: 1991
Universidad: VALLADOLID
Centro de realización: DEPARTAMENTO: ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: ELECTRONICA Y TECNOLOGIA ELECTRONICA (BIENIO 87-89)
Centro de lectura: CIENCIAS
Director: BARBOLLA SANCHO JUAN
Tribunal: CARTUJO ESTEBANEZ PEDRO , BAILON VEGA LUIS ALBERTO , TARELA PEREIRO JOSE MANUEL , LORA-TAMAYO D'OCON EMILIO , GOLMAYO FERNANDEZ DOLORES
Resumen de la tesis

EN ESTE TRABAJO SE HA LLEVADO A CABO EL ESTUDIO DEL DAÑADO ELECTRICAMENTE ACTIVO GENERADO EN ESTRUCTURAS MOS POR PROCESOS DE GRABADO IONICO REACTIVO (RIE) DE SILICIO Y POLISILICIO CON PLASMAS BASADOS EN SF6. LAS TECNICAS DE CARACTERIZACION ELECTRICA UTILIZADAS HAN SIDO C-V, DLTS Y ANALISIS DE LA ADMITANCIA, DE LA ULTIMA DE LAS CUALES HEMOS PUESTO A PUNTO POR PRIMERA VEZ LA VARIANTE TERMICA PARA LA DETECCION DE CENTROS PROFUNDOS EN EL VOLUMEN DEL SILICIO. NUESTROS RESULTADOS INDICAN QUE EL GRABADO MEDIANTE LA TECNICA RIE DE UNA CAPA DE POLISILICIO DEPOSITABLE SOBRE EL OXIDO DE PUERTA NO GENERA UN DAÑADO ELECTRICO APRECIABLE EN LAS CAPACIDADES MOS CONSTRUIDAS POSTERIORMENTE. SIN EMBARGO, LA APLICACION DIRECTA DE RIE SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO SI DA LUGAR A EFECTOS DE DAÑADO EN LAS CAPACIDADES MOS CONSTRUIDAS SOBRE DICHOS SUSTRATOS. TAL DAÑADO SE MANIFIESTA A TRAVES DE LA PRESENCIA DE CARGA POSITIVA EN EL OXIDO, DE ESTADOS SUPERFICIALES EN LA INTERFACE SI-SIO2 Y DE 2 CENTROS PROFUNDOS CON ENERGIAS DE ACTIVACION DE EV+300 Y EV+335 MEV Y PROBABLEMENTE RELACIONADOS CON ATOMOS DE FLUOR. HEMOS ESTUDIADO EL EFECTO DE LA PRESION EN LA CAMARA DE REACCION Y DE LA COMPOSICION DEL PLASMA EN EL DAÑADO RESULTANTE. EL DAÑADO RESULTA SER MAS IMPORTANTE PARA VALORES BAJOS DE LA PRESION, DEBIDO A QUE EL RECORRIDO MEDIO DE LOS IONES ES MAYOR. EN EL CASO DE PLASMAS DE SF6+CL2, AL AUMENTAR LA CONCENTRACION DE CLORO LA DENSIDAD DE ESTADOS SUPERFICIALES Y DE CENTROS PROFUNDOS DISMINUYE, EN TANTO QUE LA DENSIDAD DE CARGA POSITIVA EN EL OXIDO AUMENTA. EN EL CASO DE PLASMAS DE SF6+C2CLF5, AL AUMENTAR EL PORCENTAJE DE C2CLF5, AUMENTA LA DENSIDAD DE CARGA POSITIVA EN EL OXIDO Y DE ESTADOS SUPERFICIALES, PERO LA DE CENTROS PROFUNDOS DISMINUYE. POR OTRA PARTE, EL PERFIL DE ESTADOS SUPERFICIALES EXHIBE UN MAXIMO LOCALIZADO EN LA MITAD DEL GAP DEL SILICIO, QUE ESTA PROBABLEMENTE RELACIONADO CON LOS ATOMOS DE CARBONO. FINALMENTE, HEMOS COMPROBADO QUE LA APLICACION DE TRATAMIENTOS TERMICOS PREVIOS A LA ETAPA DE OXIDACION CONTRIBUYE A ELIMINAR PARCIALMENTE LOS EFECTOS DE DAÑADO.
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