CALCULOS DE ESTRUCTURA ELECTRONICA EN DEFECTOS PUNTUALES Y EXTENDIDOS EN SILICIO CRISTALINO.

Autor: ARTACHO CORTES EMILIO
Año: 1989
Universidad: AUTONOMA DE MADRID
Centro de realización: DEPARTAMENTO FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA, FACULTAD DE CIENCIAS, UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
Centro de lectura: CIENCIAS
Director:
Tribunal: MIRANDA SORIANO RODOLFO , LOUIS CEDECEDA ENRIQUE , BALBAS LUIS CARLOS , SOLER TORROJA JOSE MARIA , SEIJO LOCHE LUIS
Resumen de la tesis

EN ESTE TRABAJO SE PRESENTAN EN PRIMER LUGAR APORTACIONES DE TIPO METODOLOGICO UTILES PARA EL ESTUDIO DE DEFECTOS EN SEMICONDUCTORES MONOPOLARES, CONCRETAMENTE UN FORMALISMO DE BASES NO ORTOGONALES PARA PRIMERA Y SEGUNDA CUANTIZACION, Y UN METODO CONCRETO DE CALCULO EN SISTEMAS INFINITOS SIN SIMETRIA TRASLACIONAL COMPLETA, BASADO EN LA COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS, Y EN EL USO DE FUNCIONES DE GREEN. TAMBIEN SE PRESENTAN APORTACIONES CONCRETAS A TEMAS DE MUCHO INTERES Y ACTUALIDAD. EN UN ESTUDIO DE LA GEOMETRIA Y EL ESTADO FUNDAMENTAL DE COMPLEJOS HIDROGENADOS EN EL INTERIOR DE SILICIO CRISTALINO, SE OBTIENEN UNOS RESULTADOS QUE REPLANTEAN EL PROBLEMA ASOCIADO A DICHOS SISTEMAS, DESDE UN PUNTO DE VISTA DISTINTO AL TENIDO EN CUENTA HASTA AHORA. FINALMENTE, SE PROPONE UNA GEOMETRIA DE DIMEROS SIMETRICOS PARA LA SUPERFICIE (100) DEL SILICIO, EN SURECONSTRUCCION 2X1 BASADA EN LA INCORPORACION DE LA POLARIZACION DE SPIN A LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DEL ESTADO FUNDAMIENTAL. ESTO ES IMPORTANTE A LA HORA DE CONSIDERAR LA GEOMETRIA DE ESTA SUPERFICIE, ASI COMO LOS PROCESOS DE ADSORCION SOBRE ELLA, SIENDO COMO ES UNA DE LAS SUPERFICIES SEMICONDUCTORAS DE MAYOR INTERES BASCIO Y APLICADO.
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