ANALISIS DE LA CORRIENTE DE EMISOR EN DISPOSITIVOS BIPOLARES AVANZADOS.

Autor: PONS NIN JOAN
Año: 1994
Universidad: POLITECNICA DE CATALUÑA
Centro de realización: DEPARTAMENTO: INGENIERIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: INGENIERIA ELECTRONICA
Centro de lectura: INGENIEROS INDUSTRIALES
Director: ALCUBILLA GONZALEZ RAMON
Tribunal: CASTAÑER MUÑOZ LUIS , SALA PAMO GABRIEL , CORREIG BLANCHAR XAVIER , THEREZ FRANCIS , RODRIGUEZ MARTINEZ ANGEL
Resumen de la tesis

EL TRABAJO TIENE COMO OBJETIVO LA UTILIZACION DE HERRAMIENTAS ORIGINALES DE CALCULO PARA ANALIZAR LOS FACTORES DE MAYOR INFLUENCIA SOBRE LA CORRIENTE INYECTADA POR LA BASE EN EL EMISOR DE DISPOSITIVOS BIPOLARES TALES COMO LOS TRANSISTORES VLSI RAPIDOS Y LAS CELULAS SOLARES DE SILICIO DE ALTO RENDIMIENTO, PROPONIENDOSE Y EVALUANDOSE ESTRATEGIAS DE OPTIMIZACION DE DICHA CORRIENTE EN LOS DISPOSITIVOS CITADOS. SE PROPONEN ADEMAS NUEVAS SOLUCIONES ANALITICAS PARA LA CORRIENTE DE EMISOR, BASADAS EN APLICAR EL PRINCIPIO DE SUPERPOSICION A LAS RECOMBINACIONES QUE TIENEN LUGAR EN EL VOLUMEN Y LA SUPERFICIE DEL EMISOR.
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