"DIFUSION ASISTIDA POR LASER EN ARSENIURO DE GALIO".

Autor: GARCIA CARRETERO BASILIO JAVIER
Año: 1989
Universidad: AUTONOMA DE MADRID
Centro de realización: DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA-UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.
Centro de lectura: CIENCIAS
Director:
Tribunal: CALLEJA PARDO JOSE MANUEL , TEJEDOR DE PAZ CARLOS , MUÑOZ-YAGUE ANTONIO , CALLEJA PARDO ENRIQUE , CASTAÑO PALAZON JOSE LUIS
Resumen de la tesis

SE HA DESARROLLADO UN NUEVO METODO DE DIFUSION DE IMPUREZAS EN GAAS QUE CONSISTE EN APROVECHAR EL CALENTAMIENTO SUPERFICIAL PRODUCIDO EN EL SUSTRATO POR LA IRRADIACION CON UN LASER PULSADO, PARA INDUCIR LA DIFUSION EN FASE LIQUIDA DE LAS IMPUREZAS PRESENTES EN LA SUPERFICIE. SE HA REALIZADO EL PROCESO DESCRITO PARA DIFUNDIR SN, GE Y ZN A PARTIR DE CAPAS EVAPORADAS DE ESTOS ELEMENTOS. LOS ANALISIS, MEDIANTE SEM, EFECTO HALL, SIMS Y SPREADING RESISTANCE MUESTRAN LA EXISTENCIA DE UNA CAPA SUPERFICIAL MUY DOPADA, DEPENDIENDO EL NIVEL DE DOPAJE ALCANZADO, DEL TIPO DE IMPUREZA Y DE LA ENERGIA DE IRRADIACION, OBTENIENDOSE CONCENTRACIONES N EN EL RANGO 10 18-10 19CM-3 (GE Y SN) Y P EN EL RANGO 10 20-10 21CM-3 (ZN). SE HA MODELIZADO LOS PROCESOS DE FUSION Y DIFUSION MEDIANTE CALCULOS NUMERICOS, MOSTRANDOSE COEFICIENTES DE DIFUSION SUPERIORES A 10-4CM2/. SE HA REALIZADO Y CARACTERIZADO DISPOSITIVOS MESFET UTILIZANDO LA TECNICA DESCRITA PARA FORMAR LOS CONTACTOS DE FUENTE Y DRENADOR.
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