TRANSPORTE DE ELECTRONES

• ANÁLISIS DE LOS FENÓMENOS DE TRANSPORTE Y RÚIDO ELECTRÓNICO EN TRANSISTORES MOSFET Y SOI SUBMICROMÉTRICOS
  Autor: RENGEL ESTÉVEZ RAÚL
  Año: 2002
  Universidad: SALAMANCA
  Resumen

  En este trabajo hemos desarrollado un simulador bidimensional Monte Carlo de Dispositivos de Silicio basado en un modelo microscópico con el fin de investigar los procesos de transporte de carga y ... [Sigue]
• TRANSPORT PROPERTIES OF MESOSCOPIC Y SYSTEMS
  Autor: BASCONES FERNANDEZ DE VELASCO ELENA
  Año: 2000
  Universidad: AUTONOMA DE MADRID
  Resumen

  DESDE UN PUNTO DE VISTA TEORICO SE ANALIZA EL TRANSPORTE ELECTRONICO EN SISTEMAS DE BAJA DIMENSIONALIDAD EN QUE EL CARÁCTER CUANTICO DE LOS ELECTRONES JUEGA UN PAPEL IMPORTANTE. EN PARTICULAR, SE ES ... [Sigue]
• MODELIZACION MICROSCOPICA DEL RUIDO ELECTRONICO EN ESTRUCTURAS MESFET Y HEMT SUBMICROMETRICAS. ANALISIS NUMERICO Y EXPERIMENTAL.
  Autor: MATEOS LOPEZ JAVIER
  Año: 1997
  Universidad: SALAMANCA
  Resumen

  Utilizando el método de Monte Carlo se ha estudiado la dinámica de las partículas y el comportamiento del ruido y sus fuentes locales en dispositivos de complejidad creciente. Así, hemos comenzad ... [Sigue]
• ANALISIS DEL TRANSPORTE DE CARGA Y DE LOS FENOMENOS DE RUIDO ELECTRONICO EN ESTRUCTURAS SI/SI1-XGEX BIPOLARES.
  Autor: MARTIN MARTINEZ M. JESUS
  Año: 1996
  Universidad: SALAMANCA
  Resumen

  EN ESTA MEMORIA PRESENTAMOS UN ESTUDIO MICROSCOPICO DEL TRANSPORTE EN HETEROUNIONES SI/SI1-XGEX SUBMICROMETRICAS LIMITANDO EL VALOR DE LA FRACCION DE GERMANIO A VALORES (IGUALES O INFERIORES A 0.3) C ... [Sigue]
• CARACTERIZACION POR MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE HETEROESTRUCTURAS INGAAS/INALAS CRECIDAS POR EPITAXIA DE HACES MOLECULARES SOBRE SUBSTRATOS DE INP.
  Autor: PEIRO MARTINEZ FRANCISCA
  Año: 1992
  Universidad: BARCELONA
  Resumen

  LA FINALIDAD DE LA INVESTIGACION ES LA OPTIMIZACION DEL CRECIMIENTO DE ESTRUCTURAS INX GA1- XAS/INYA11-YAS/INP, PARA LA OBTENCION DE DISPOSITIVOS HEMT FUNCIONALES. PREVIAMENTE SE HA OPTIMIZADO LA PRE ... [Sigue]
• SECCIONES EFICACES DE CAPTURA OPTICA DEL PALADIO EN EL SILICIO
  Autor: RUBIO GARCIA JOSE EMILIANO
  Año: 1989
  Universidad: VALLADOLID
  Resumen

  EN ESTE TRABAJO SE HAN ANALIZADO Y DESARROLLADO DOS TECNICAS DE MEDIOS DE LAS SECCIONES EFICACES DE CAPTURA OPTICA DE CENTROS PROFUNDOS EN SEMICONDUCTORES, LA CC-DLOS (CONSTANT CAPACITANCE DEEP LEVEL ... [Sigue]
• CONTRIBUCION AL ESTUDIO DE LA MODELIZACION FISICA Y REALIZACION DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES
  Autor: PASTOR DEGANO GERARDO
  Año: 1981
  Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID
  Resumen

  SE REALIZA UN AMPLIO ESTUDIO DE LOS PROCESOS TECNOLOGICOS UTILIZADOS EN LA ELABORACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES RECALCANDO EL PROCESO DE LA DIFUSION Y A CONTINUACION SE PASA A LA ELABORACION P ... [Sigue]
• CONTRIBUCION AL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE EN EL ASGA:GR.
  Autor: JIMENEZ LOPEZ JUAN
  Año: 1979
  Universidad: VALLADOLID
  Resumen

  SEMICONDUCTORES EN REGIMEN DE TIEMPO DE VIDA MEDIA Y DE RELAJACION. COMPENSACION EN EL ASGA: CONDUCTIVIDAD ACTIVADA TERMICAMENTE; CARACTERISTICAS CORRIENTE-TENSION (I-V). ESTUDIO DE LAS TRAMPAS Y DE ... [Sigue]