TRANSPORTE DE ELECTRONES
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Autor: RENGEL ESTÉVEZ RAÚLAño: 2002Universidad: SALAMANCAResumenEn este trabajo hemos desarrollado un simulador bidimensional Monte Carlo de Dispositivos de Silicio basado en un modelo microscópico con el fin de investigar los procesos de transporte de carga y ... [Sigue]
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Autor: BASCONES FERNANDEZ DE VELASCO ELENAAño: 2000Universidad: AUTONOMA DE MADRIDResumenDESDE UN PUNTO DE VISTA TEORICO SE ANALIZA EL TRANSPORTE ELECTRONICO EN SISTEMAS DE BAJA DIMENSIONALIDAD EN QUE EL CARÁCTER CUANTICO DE LOS ELECTRONES JUEGA UN PAPEL IMPORTANTE. EN PARTICULAR, SE ES ... [Sigue]
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Autor: MATEOS LOPEZ JAVIERAño: 1997Universidad: SALAMANCAResumenUtilizando el método de Monte Carlo se ha estudiado la dinámica de las partículas y el comportamiento del ruido y sus fuentes locales en dispositivos de complejidad creciente. Así, hemos comenzad ... [Sigue]
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Autor: MARTIN MARTINEZ M. JESUSAño: 1996Universidad: SALAMANCAResumenEN ESTA MEMORIA PRESENTAMOS UN ESTUDIO MICROSCOPICO DEL TRANSPORTE EN HETEROUNIONES SI/SI1-XGEX SUBMICROMETRICAS LIMITANDO EL VALOR DE LA FRACCION DE GERMANIO A VALORES (IGUALES O INFERIORES A 0.3) C ... [Sigue]
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Autor: PEIRO MARTINEZ FRANCISCAAño: 1992Universidad: BARCELONAResumenLA FINALIDAD DE LA INVESTIGACION ES LA OPTIMIZACION DEL CRECIMIENTO DE ESTRUCTURAS INX GA1- XAS/INYA11-YAS/INP, PARA LA OBTENCION DE DISPOSITIVOS HEMT FUNCIONALES. PREVIAMENTE SE HA OPTIMIZADO LA PRE ... [Sigue]
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Autor: RUBIO GARCIA JOSE EMILIANOAño: 1989Universidad: VALLADOLIDResumenEN ESTE TRABAJO SE HAN ANALIZADO Y DESARROLLADO DOS TECNICAS DE MEDIOS DE LAS SECCIONES EFICACES DE CAPTURA OPTICA DE CENTROS PROFUNDOS EN SEMICONDUCTORES, LA CC-DLOS (CONSTANT CAPACITANCE DEEP LEVEL ... [Sigue]
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Autor: PASTOR DEGANO GERARDOAño: 1981Universidad: COMPLUTENSE DE MADRIDResumenSE REALIZA UN AMPLIO ESTUDIO DE LOS PROCESOS TECNOLOGICOS UTILIZADOS EN LA ELABORACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES RECALCANDO EL PROCESO DE LA DIFUSION Y A CONTINUACION SE PASA A LA ELABORACION P ... [Sigue]
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Autor: JIMENEZ LOPEZ JUANAño: 1979Universidad: VALLADOLIDResumenSEMICONDUCTORES EN REGIMEN DE TIEMPO DE VIDA MEDIA Y DE RELAJACION. COMPENSACION EN EL ASGA: CONDUCTIVIDAD ACTIVADA TERMICAMENTE; CARACTERISTICAS CORRIENTE-TENSION (I-V). ESTUDIO DE LAS TRAMPAS Y DE ... [Sigue]