MICROELECTRONICA
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Autor: Aboy Cebrián MaríaAño: 2004Universidad: VALLADOLIDResumenLas prestaciones de los circuitos integrados (IC) han ido mejorando continuamente durante los últimos años. Los dispositivos que los forman son cada vez más pequeños, y en la actualidad, dentro ... [Sigue]
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Autor: HUERTAS SANCHEZ GLORIAAño: 2003Universidad: SEVILLAResumenLa contribución nuclear de esta tesis es el desarrollo y la validación experimental de una nueva versión muy mejorada de una estrategía de test estructural llamada Test Basado en Oscilación ... [Sigue]
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Autor: LÓPEZ GARCÍA DIEGO RAFAELAño: 2001Universidad: SEVILLAResumenXfuzzy, el entorno de desarrollo que ha constituido el objeto de esta tesis, está conformado por un conjunto de herramientas basadas en un lenguaje formal de especificación, llamado XFL (que son l ... [Sigue]
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Autor: CALVO BARRIO LORENZOAño: 1998Universidad: BARCELONAResumenEl objetivo principal de este trabajo es el estudio de la síntesis de SiC por implantación iónica de C en substratos de Si y estructuras SiGe/Si. Para ello se desarrolla una completa caracterizaci ... [Sigue]
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Autor: HERNANDEZ ALONSO JOSEAño: 1986Universidad: COMPLUTENSE DE MADRIDResumenEL OBJETIVO DE ESTA TESIS ES PROBAR SI LA CAPACIDAD OPERATIVA DE LOS DENOMINADOS EN LA JERGA INFORMATICA ORDENADORES PERSONALES ES ADECUADA PARA RESOLVER DE UNA FORMA EFICAZ LAS MANIPULACIONES DE DAT ... [Sigue]
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Autor: GALAN GONZALEZ JOSEAño: 1986Universidad: SEVILLAResumenEN EL PRESENTE TRABAJO SE PRETENDE ANALIZAR LAS CARACTERISTICAS Y LA DIFUSION ALCANZADA POR LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA ASI COMO SUS APLICACIONES EN LA EMPRESA Y SISTEMAS PRODUCTIVOS EN GENERAL. I ... [Sigue]
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Autor: LORA TAMAYO D'OCON AMELIAAño: 1982Universidad: COMPLUTENSE DE MADRIDResumenEN EL TRABAJO SE REALIZA UN ESTUDIO DE LOS FENOMENOS FISICOS EN EL PROCESO DE OXIDACION TERMICA DEL SILICIO TANTO DE LOS QUE SE OBSERVAN DURANTE EL CRECIMIENTO DE LA CAPA DE OXIDO COMO DE LOS QUE SE ... [Sigue]